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一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法技术
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下载一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法的技术资料
文档序号:11252350
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本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极-阻变层-电极结构,所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层;然后利用光刻胶作为牺...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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