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本发明公开了一种可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法，包括：在石墨烯表面白组装一层有机层，再沉积一层无机层作为石墨烯的双层保护层；在石墨烯的双层保护层之上旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行曝光、反转、泛曝及显影操作，形成制备金属电极所...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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