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本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：氮化镓系的化合物半导体层；第一金属层，由包含Mg的岛状物形成，并欧姆接触于所述化合物半导体层；第二金属层，由Ni形成，覆盖所述第一金属层，并在第一金属层的岛状物之间接触到化合物半导...
该专利属于首尔伟傲世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过首尔伟傲世有限公司授权不得商用。

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