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一种导电插塞的形成方法,导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接,该形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成金属栅极,金属栅极包括铝层;形成位于衬底上的第一层间介质层,第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平;在第一层间介质层及金属栅极上形成第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种导电插塞的形成方法,导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接,该形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成金属栅极,金属栅极包括铝层;形成位于衬底上的第一层间介质层,第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平;在第一层间介质层及金属栅极上形成第...