下载导电插塞的形成方法的技术资料

文档序号:11169337

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种导电插塞的形成方法,导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接,该形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成金属栅极,金属栅极包括铝层;形成位于衬底上的第一层间介质层,第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平;在第一层间介质层及金属栅极上形成第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。