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本发明揭示了一种离子源以及离子注入装置，所述离子源具有真空室，所述真空室包括：等离子体形成容器；第一阴极，设置在所述等离子体形成容器的一侧面，用于放出电子；第一旁热式阴极，所述第一阴极放出的电子碰撞所述第一旁热式阴极后，进入所述等离子体形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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