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本发明公开了一种空气侧墙的制作方法，在CMOS器件制作过程中，通过形成释放口将NMOS栅极、PMOS栅极两侧的APF侧墙刻蚀去除来形成空气侧墙，以取代传统的二氧化硅或氮化硅侧墙，利用侧墙中空气的介质特性，可有效减小器件的寄生电容，提高器件的...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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