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本发明提供了一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法。其中，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括依次执行的下述步骤：在硅衬底表面依次淀积垫层二氧化硅层和垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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