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本申请提供一种在块体半导体材料上用于形成隔离的鳍部结构的方法。一种方法包括在块体衬底上形成第一半导体材料层和在该第一半导体材料层上形成第二半导体材料层。该方法进一步包括在该第二半导体材料层上创造鳍状图案掩膜，以及使用该鳍状图案掩膜作为蚀刻掩...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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