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SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件技术
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文档序号:11032451
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本发明提供提高了发光效率的SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件。荧光材料由碳原子配置于立方体位置和六方体位置的SiC晶体构成,并添加有施主杂质和受主杂质,以使与立方体位置的碳原子置换的施主杂质相对于与六方体位置的碳原子置换的施主杂质的比例...
该专利属于崇高种子公司所有,仅供学习研究参考,未经过崇高种子公司授权不得商用。
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