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本发明描述了将非易失性存储器件集成到逻辑MOS流中的方法的实施例。一般而言，所述方法包括：在衬底的第一区域中，由覆盖衬底的表面的半导体材料形成存储器件的沟道，沟道连接存储器件的源极和漏极；在相邻于沟道的多个表面的沟道上方形成电荷俘获介质堆栈...
该专利属于赛普拉斯半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛普拉斯半导体公司授权不得商用。

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