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用减少的掩膜操作制造TFT和IPS的方法，包括衬底、栅极、在该栅极上的且包围衬底表面的栅极介电层、和在该栅极介电层上的半导体金属氧化物。沟道保护层覆盖了栅极以在半导体金属氧化物中限定沟道区域。在沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物的部分上图案...
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