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本发明涉及一种制备黑硅的方法，属于黑硅材料制备的技术领域。本方法解决了现有黑硅的制法的不足。本发明提供的制备黑硅的方法包括：对基片进行表面清洁处理；采用共蒸发法在上述基片表面沉积厚度为大于3μm的硅铝共掺杂膜；将镀有硅铝共掺杂膜的基片浸泡在...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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