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一种非易失性存储装置包括多个非易失性存储单元(1)。每一个非易失性存储单元包括第一电极(101)、二极管控制元件(110)、设置为与二极管控制元件串联的存储元件(118)、第二电极(100)和位于二极管(110)和存储元件(118)之间的宽...
该专利属于桑迪士克3D有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克3D有限责任公司授权不得商用。

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