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提出一种用于氮化物化合物半导体材料的外延衬底(11，12，13)，所述外延衬底具有直接在衬底(1)上的成核层(2)，其中成核层(2)具有至少一个由AlON构成的具有柱状结构的第一层(21)。此外，提出一种用于制造外延衬底的方法和一种具有外延...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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