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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种平坦化预处理方法，通过在一具有较大初始高度差的凹凸结构的介质层上表面进行等离子处理，并进行有机抗反射层的涂覆、干法刻蚀来降低介质层上表面的初始高度差，再通过后续的化学机械研磨工艺进行研磨以完全消除高...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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