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本发明公开了一种静电保护结构，包括：静电进入端连接第一电容的一端、第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极；第一NPN三极管其发射极连接第一电容的另一端、第一二极管的正极和第一电R1的一端，其基极连接第一二极管的负极、第二二极管的正极、第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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