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本发明涉及有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管包括：第一电极(1)和第二电极(2)，所述电极提供源电极和漏电极，与第一和第二电极(1，2)电接触的本征有机半导体层(3)，栅电极(6)，在栅电极(6)和本征有机半导体层(3)之间设置的栅极绝...该专利属于诺瓦尔德股份有限公司;德累斯顿工业技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过诺瓦尔德股份有限公司;德累斯顿工业技术大学授权不得商用。