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通过开锥孔进行锥槽离子注入制作半导体器件超级结的方法属于超级结半导体器件制造技术领域。现有技术尚不能获得超级结效果。本发明首先在硅片上刻蚀若干规则分布的锥孔，锥孔底部呈平底状，然后向锥孔中垂直注入杂质，再填充锥孔，最后高温推结，形成P柱和N...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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