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本发明提供了一种使用牺牲性鳍来制作半导体器件的方法，包括在半导体层上方形成牺牲性层。选择性地去除牺牲性层的部分以限定在半导体层的第一区域之上的第一组间隔开的牺牲性鳍和在半导体层的第二区域之上的第二组间隔开的牺牲性鳍。在第一与第二区域之间在半...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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