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本实用新型涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；基底层中的有源区，包括：第二导电类型的本体区；第一导电类型的源极区，位于本体区中；发射极电极，连接到所述源极区；从基底层的顶部向...
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