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本实用新型公开了一种氮化铝热沉硅双极功率器件外壳，涉及半导体或其他固态器件的封装技术领域。包括金属底盘、氧化铝陶瓷侧墙、氮化铝陶瓷热沉以及金属引线，所述氧化铝陶瓷侧墙固定在所述金属底盘的上表面，金属底盘与氧化铝陶瓷侧墙之间构成腔体结构，所述...
该专利属于河北中瓷电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北中瓷电子科技有限公司授权不得商用。

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