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本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，包括：1）在硅片上刻蚀形成沟槽，在沟槽内壁进行第一氧化硅生长后，在沟槽内填充多晶硅，再将沟槽外的多晶硅进行完全刻蚀去除，在硅片上沉积介质膜；2）通过接触孔光刻定义接触区域，利用刻蚀将接触区域的介...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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