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一种可用于精确测量位移、角度传感器的异质结ZnO薄膜/SiO2/Si，该异质结具有显著的光诱导位置敏感性。通过射频磁控溅射方法，在保留有自然氧化层二氧化硅的p型单晶Si(100)晶面上沉积ZnO薄膜。再通过直流磁控溅射方法，在ZnO薄膜/S...
该专利属于中国石油大学（华东）所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油大学（华东）授权不得商用。

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