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本实用新型所述垂直功率二极管封装体,包括绝缘基板、第一电极及第二电极,所述第一电极数量不止一个,所述第一电极围绕第二电极分布,所述第二电极由柱形底座和棱台头部组成,所述棱台头部的底面与柱形底座截面重合,所述棱台头部为正棱台,所述柱形底座内部...该专利属于四川广义微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川广义微电子股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型所述垂直功率二极管封装体,包括绝缘基板、第一电极及第二电极,所述第一电极数量不止一个,所述第一电极围绕第二电极分布,所述第二电极由柱形底座和棱台头部组成,所述棱台头部的底面与柱形底座截面重合,所述棱台头部为正棱台,所述柱形底座内部...