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本发明涉及相变存储器单元的制作方法。本发明针对包含加热电极过渡层材料TiON的相变存储器器件单元结构，提出一种TiON过渡层的制备方法，即采用氧等离子体处理TiN的方法，该方法在不增加相变存储器制作工艺复杂度的前提下，实现了TiON材料的均...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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