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本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅组件被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅组件可以包括具有特定的深宽比的槽的一个或多个等离子体格栅，从而允许...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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