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本发明公开一种沟槽式肖特基半导体器件，其导电多晶硅体嵌入所述栅沟槽内，位于导电多晶硅体中下部的多晶硅中下部位于栅沟槽内且与外延层之间设有第一二氧化硅氧化层；位于所述单晶硅凸台内并在沟槽四周侧表面具有第二导电类型掺杂区，此第二导电类型掺杂区顶...
该专利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州硅能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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