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本发明公开了一种堆叠集成电路(IC)器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电(ILD)层、第一互连部件,以及将第一互连部件连接至...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种堆叠集成电路(IC)器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电(ILD)层、第一互连部件,以及将第一互连部件连接至...