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本发明涉及带内隧道FET，其具有能够提供高驱动电流的对称FET。在一些实施例中，所公开的带内隧道FET具有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区。源极区和漏极区通过沟道区间隔开。栅极区可以生成改变沟道区中的价带和/或导带的位置的电场。通...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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