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一种晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法,所述晶体管重叠电容的测试方法包括:提供第一测试结构,所述第一测试结构包括在第一半导体衬底上形成的第一晶体管和第一连接结构,第一晶体管的第一源区和第一漏区内具有位于第一栅极的下方的第一重叠区,所述第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种晶体管重叠电容的测试结构及其测试方法,所述晶体管重叠电容的测试方法包括:提供第一测试结构,所述第一测试结构包括在第一半导体衬底上形成的第一晶体管和第一连接结构,第一晶体管的第一源区和第一漏区内具有位于第一栅极的下方的第一重叠区,所述第一...