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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102：在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103：在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104：在所述多晶硅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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