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本发明涉及一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其过程为：步骤a,将样品进行处理并制作测量样品后，进行装样；清洗实验设备，设置测量参数，并对SIMS质谱仪进行调试；步骤b,加载样品后，对样品进行测量，分别统计18O、16O...
该专利属于中国原子能科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国原子能科学研究院授权不得商用。

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