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本发明提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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