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本发明涉及一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下...
该专利属于李思敏所有，仅供学习研究参考，未经过李思敏授权不得商用。

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