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本发明为一种提高栅氧化物介电常数的方法，涉及用于半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种提高栅氧化物介电常数的方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上制备一SiO2栅氧化层；对所述SiO2栅氧化层进行氮的注入，使SiO2中的部分氧原...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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