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本实用新型提出了一种高压可控硅他励驱动电源装置，包括：开关电源；单相逆变电路，单相逆变电路与开关电源相连，单相逆变电路包括：第一至第四金属氧化层半导体场效MOSFET晶体管，第一MOSFET管的漏极与开关电源和第二MOSFET管的漏极相连，...
该专利属于天津市先导倍尔电气有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津市先导倍尔电气有限公司授权不得商用。

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