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本发明提出一种通孔和沟槽的形成方法，在半导体衬底上形成第一介质层，接着刻蚀第一介质层形成通孔，然后在通孔中形成介质阻挡层，接着在介质阻挡层上形成第二介质层，然后对所述第二介质层进行刻蚀，形成与通孔连通的沟槽，最后去除通孔中的介质阻挡层；由于...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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