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本发明提供一种提高栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅衬底；进行湿法清洗工艺以去除所述硅衬底表面形成的自然氧化层；继续将所述硅衬底放入一炉管进行高温氧化工艺，以于所述硅衬底的表面形成一栅氧化层；其中，所述炉管采用碳纤维发热...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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