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本发明有关于一种用于半导体元件的超接面结构及其制程，该超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱...
该专利属于节能元件控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过节能元件控股有限公司授权不得商用。

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