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公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，在相邻的栅电极之间形成有覆盖相应的栅电极侧墙上的间隔件以及半导体衬底表面的附加的内部互连层。从而，接触件可以与覆盖间隔件及衬底表面的内部互连层接触，并由该内部互连层支承。源极/漏极可以从...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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