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本发明提供一种改善GaN基LED反向漏电的外延生长方法,抑制线型位错的外延结构：在高温u-GaN层4/5厚度处，插入一层50-200nm非掺u-AlGaN外延层；在高温n-GaN层1/3厚度处，插入一层4-8个周期的n-AlGaN/GaN超...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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