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本发明公开了逻辑兼容RRAM结构和工艺。一种存储器单元和方法包括：通过第一介电层中的第一开口共形形成的第一电极；在第一电极上共形形成的电阻层；在电阻层上共形形成的第二电极；和在第二电极上共形形成的第二介电层，第二介电层包含第二开口。第一介电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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