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一种电阻结构及其形成方法,所述电阻结构的形成方法包括:提供基底,包括金属互连结构和包围所述金属互连结构的介质层;在所述第一金属插塞、第二金属插塞和介质层表面形成第一金属层和位于所述第一金属层表面的绝缘材料层;对所述绝缘材料层进行图形化,形成...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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