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本发明公开了一种后栅工艺中假栅极制造方法，包括：在衬底上依次形成栅极介质层、第一假栅极层；在第一假栅极层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成第二假栅极层；在第二假栅极层上形成第一掩模图案；以第一掩模图案为掩模，刻蚀第二假栅极层形成第二假栅极图案...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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