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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:10040149
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本发明提供了一种半导体结构,包括衬底(130)、支撑结构(131)、基底区(100)、栅堆叠、侧墙(240)以及源/漏区,其中,所述栅堆叠位于所述基底区(100)之上,所述基底区(100)由支撑结构(131)支撑于所述衬底(130)之上,其...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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