现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。【专利说明】CVD装置以及CVD膜的制造方法
本专利技术涉及使用介电质阻挡放电等离子体的常压CVD装置以及CVD膜的制造方法，特别是利用常压CVD装置进行的氮化膜的制造方法。
技术介绍
专利文献1:特开昭58-220477号公报 专利文献2:特开2002-110671号公报 专利文献3:特开2002-176119号公报 专利文献4:特开2008-98128号公报 专利文献5:特开2004-39993号公报 专利文献6:特开昭63-50025号公报太阳能发电取代资源枯竭、温室效应气体排出等问题的石油能源，作为干净能源近年来被广为使用。专利文献I公开了:作为硅太阳电池的抗反射膜，使用氮化硅膜提高能量转换效率的方法。氮化膜形成时所使用的等离子体CVD法，一直以来，为了稳定地产生等离子体，在10_2?数Torr减压下进行成膜。所以，需要减压系统等昂贵的设备以及成膜室的减压步骤，难以降低制造成本。为了更加普及太阳能发电，期待开发能够更低成本地制造太阳电池的装置以及制造方法。 专利文献2公开了:利用大气压CVD制造薄膜的技术。图12表示专利文献2所公开的以往的大气压CVD装置的剖视图。通常，在大气压下，除了氦等特定气体之外无法稳定地保持等离子体状态，会瞬间移往电弧放电状态。图12所示CVD装置在容器111的内部对向设置一对电极114、115,从气体导入口 111导入原料气体,通过对电极114、115施加脉冲电场,经由固体介电质116、117产生等离子体，从等离子体吹出口 119将产生的等离子体118吹抵基板121上，形成薄膜120。通过经由固体介电质对电极施加电场，不管气体的种类，均可以产生稳定的辉光放电等离子体。关于氮化膜的形成方法，在专利文献2的实施例3中有记载，将硅烷气体与氨气经氩气进行稀释的混合气体，导入容器111中产生等离子体。但是，如果利用该方法实际进行成膜，因为硅等离子体与氮等离子体不会在基板上产生反应，而是主要在容器内部发生反应，因此存在在基板上几乎没有形成氮化膜的问题。 专利文献3公开的仍是利用大气压CVD制造薄膜的技术。专利文献2公开的方法是等离子体吹抵成膜，与此相对，专利文献3公开的方法是放电空间内成膜。所以，虽然可以在基板上形成氮化膜，但在气体导入口与气体排放口的各自附近会出现成膜速度差，特别是当氮化膜形成等导入多种气体时，会产生成膜均匀性降低等显著问题。同时，因为在放电空间内配置基板的方式，所以会产生基板容易遭受等离子体损伤的问题。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供可获得高成膜速度、成膜均匀的大气压CVD装置，目的在于提供主要是能够低成本制造太阳电池，可在大气压下进行氮化膜成膜的CVD装置。 解决课题的方法本专利技术(I)的等离子体CVD装置，其特征是，由既定片数的流路板重叠构成，在所述流路板的气体出口侧端面，具有中空部的陶瓷构件的所述中空部内设置放电电极，所述放电电极非接触状态地配置电极线。 本专利技术(2)是上述专利技术(I)的等离子体CVD装置，其特征是，在所述流路板的侧面形成气体通路。 本专利技术(3)是上述专利技术(I)或上述专利技术(2)的等离子体CVD装置，其特征是，所述中空部内是真空。 本专利技术(4)是上述专利技术(I)或者上述专利技术(2)的等离子体CVD装置，其特征是，在所述中空部内封入气体，所述气体是稀有气体。 本专利技术(5)是上述专利技术(4)的等离子体CVD装置，其特征是，所述中空部内是被减压至250Torr 以下。 本专利技术(6)是上述专利技术(4)或上述专利技术(5)的等离子体CVD装置，其特征是，所述稀有气体是Ar气体或Ne气体。 本专利技术(7)是上述专利技术(I)至上述专利技术(6)的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线一端连接于金属箔，所述金属箔之端成为外部拉出部，在其途中拧入陶瓷构件的一端而使该金属箔接触密封。 本专利技术(8)是上述专利技术(I)至上述专利技术(7)的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线由Ni或Ni合金构成。 本专利技术(9)是上述专利技术(I)至上述专利技术(7)的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线由含有Th或ThO的W构成。 本专利技术(10)是上述专利技术(9)的等离子体CVD装置，其特征是，Th的含量是4重量％以下。 本专利技术(I I)是上述专利技术(I)至上述专利技术(10 )的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线是线圈状电极线。 本专利技术(12)是上述专利技术(I)至上述专利技术(11)的等离子体CVD装置，其特征是，在所述电极线的表面上形成由射极材料构成的层；所述射极材料是工作系数小于所述电极线材料的材料。 本专利技术(13)是上述专利技术(12)的等离子体CVD装置，其特征是，所述射极材料具有钙钛矿型结晶结构的材料。 本专利技术(14)是上述专利技术(12)或上述专利技术(13)的等离子体CVD装置，其特征是，所述射极材料是从TiSro、MgO、TiO构成的化合物群组中选择任意I种以上的化合物。 本专利技术(15)是上述专利技术(12)至上述专利技术(14)的等离子体CVD装置，其特征是，所述射极材料构成的层是将所述射极材料的原料利用研钵进行粉碎后，溶解于水中，使用骨胶涂抹于所述电极线的表面之后，经煅烧而形成的层。 本专利技术(16)是上述专利技术(12)至上述专利技术(14)的等离子体CVD装置，其特征是，由所述射极材料构成的层是由MOCVD形成的层。 本专利技术(17)是上述专利技术(7)至上述专利技术(16)的等离子体CVD装置，其特征是，所述金属箔是Mo或Mo合金。 本专利技术（18)的等离子体CVD装置，其特征是，由既定片数的流路板重叠构成，在所述流路板的气体出口侧端面设置放电电极；该放电电极是在陶瓷构件内部封入电极线或金属箔。 本专利技术（19)是上述专利技术（18)的等离子体CVD装置，其特征是，在所述流路板的侧面形成气体通路。 本专利技术（20)是上述专利技术（18)或上述专利技术（19)的等离子体CVD装置，其特征是，所述金属箔是Mo或Mo合金。 本专利技术（21)是上述专利技术（I)至上述专利技术（20)的等离子体CVD装置，其特征是，所述陶瓷是石英。 本专利技术（22)是上述专利技术（I)至上述专利技术（20)的等离子体CVD装置，其特征是，所述陶瓷是透光性氧化铝。 本专利技术（23)是上述专利技术（I)至上述专利技术（22)的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板是由具有耐热性的金属构成。 本专利技术（24)是上述专利技术（I)至上述专利技术（22)的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板是由陶瓷构成。 本专利技术（25)是上述专利技术（I)至上述专利技术（24)的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板的所述气体出口侧端面设有榫孔，在所述放电电极的一面上设有榫，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：楠原昌树，
申请(专利权)人：株式会社和广武，
类型：
国别省市：
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