形成硬盘用平坦化膜的组合物制造技术

本发明专利技术的课题是提供可以防止钴成分等磁性材料扩散至填充部(非磁性层)的形成硬盘用平坦化膜的组合物。作为解决本发明专利技术的课题的方法涉及一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在该被覆材料中含有相对于每1摩尔苯环为1～90摩尔%的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：选自具有来源于二乙烯基芳香族化合物的单元结构的均聚物和具有该单元结构的共聚物中的至少1种聚合物、或该聚合物与光聚合性化合物的混合物。光聚合性化合物为具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。聚合物为还包含加聚性化合物作为共聚成分的共聚物。一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性体上形成凹凸；第2工序，用形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸；第3工序，通过蚀刻来平坦化，使磁性体表面露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成硬盘用平坦化膜的组合物
本专利技术涉及形成硬盘用被膜的组合物和使用了该组合物的硬盘的制造方法。由本专利技术的组合物形成的被膜对于平坦化和抑制磁性物质向被膜层扩散有效果。
技术介绍
关于硬盘驱动器，头的高性能化和驱动器介质(磁性体)的高性能化同时进行，大容量化和小型化进行。在介质驱动器的高性能化这点上，通过提高面记录密度来推进大容量化。如果提高记录密度则在磁头方面磁场变宽成为问题，向使磁头小的方向进展受限制。由于不会小至一定值以下，因此发生被称为侧光(sidelight)的现象。如果发生侧光，则记录时发生向相邻磁道的写入，盖写已经记录的数据而发生数据的消失。此外，磁场变宽在更新时会读入来自相邻磁道的多余信号，发生串扰。为了解决这样的问题，提出了要通过将磁道间用非磁性材料填充，进行物理分离、磁分离来解决的离散磁道介质、比特图案化介质这样的技术(专利文献1)。由填充于磁道间的非磁性材料形成的填充是，在形成于基板上的具有凹凸的磁性层上被覆包含非磁性材料的形成被膜的组合物，通过干蚀刻回蚀直至磁性层的表面，形成磁性层与非磁性层变为平坦的平面。该非磁性层的底部、侧部与磁性层接触，有时发生磁性材料从磁性层向非磁性层扩散，为了防止这样的扩散，使用了聚硅氧烷系材料(专利文献2)。另一方面，记载了具有光固化性部位的苯乙烯系聚合物(专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005－100496号公报专利文献2：日本特开2009－259370号公报专利文献3：日本特开2010－024330号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的是提供非磁性体的填充剂，即形成平坦化膜的组合物，所述形成平坦化膜的组合物用于在磁性体上形成微细的槽(几十nm)，在该槽中填充非磁性材料进行光固化而平坦化，形成交替地具有磁性体部分和非磁性体部分的磁道这样的用于制造离散磁道介质、比特图案化介质的方法中。要求形成平坦化膜的组合物可以充分地填充于上述微细的槽中，且光固化时(曝光时)和曝光后烘烤时填充部分不发生收缩，而且在填充部中防止钴成分等磁性材料(钴、铝、锆、铬、镍、锌、铁、钌等)扩散至填充部(非磁性层)。由此，本专利技术的目的是提供满足这样的要求性能的形成硬盘用平坦化膜的组合物，此外，提供使用了该组合物的硬盘的制造方法。用于解决课题的方法本专利技术中，作为第1观点，是一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在该被覆材料中含有相对于每1摩尔苯环为1～90摩尔%的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：选自具有来源于二乙烯基芳香族化合物的单元结构的均聚物和具有该单元结构的共聚物中的至少1种聚合物、或该聚合物与光聚合性化合物的混合物，作为第2观点，是第1观点所述的形成平坦化膜的组合物，上述二乙烯基芳香族化合物为二乙烯基苯，作为第3观点，是第1观点或第2观点所述的形成平坦化膜的组合物，上述光聚合性化合物为具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物，作为第4观点，是第1观点～第3观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，上述共聚物为还具有来源于加聚性化合物的单元结构的共聚物，作为第5观点，是第1观点～第4观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物，其还包含光聚合引发剂和溶剂，作为第6观点，是一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性体上形成凹凸；第2工序，用第1观点～第5观点的任一项所述的形成平坦化膜的组合物被覆该凹凸而形成被膜；第3工序，通过蚀刻将该被膜平坦化，使磁性体表面露出，作为第7观点，是第6观点所述的硬盘的制造方法，通过纳米压印法形成上述第1工序中的凹凸，作为第8观点，是第6观点或第7观点所述的制造方法，通过对被覆了上述第1工序中形成的凹凸的形成平坦化膜的组合物进行光照射，使该形成平坦化膜的组合物固化的方法，来形成上述第2工序中的被膜，作为第9观点，是第6观点或第7观点所述的制造方法，通过对被覆了上述第1工序中形成的凹凸的形成平坦化膜的组合物进行光照射，然后进一步利用热进行回流的方法，来形成上述第2工序中的被膜，作为第10观点，是第6观点～第9观点的任一项所述的硬盘的制造方法，上述第3工序中的平坦化通过干蚀刻来进行，作为第11观点，是第10观点所述的硬盘的制造方法，上述干蚀刻使用非卤素系干蚀刻气体，作为第12观点，是第6观点～第11观点的任一项所述的硬盘的制造方法，其还包括第4工序：通过硬质物质被覆上述第3工序中被平坦化了的被膜的表面，作为第13观点，是第12观点所述的硬盘的制造方法，上述第4工序中使用的硬质物质为类金刚石碳。专利技术的效果在形成于磁性层的微细的槽中填充非磁性材料，然后将非磁性材料进行回蚀，从而形成交替地具有磁性体部分和非磁性体部分的磁道的方法中，本专利技术的形成平坦化膜的组合物在作为非磁性材料涂布于该磁性层上时，显示优异的填充性，此外光固化时(曝光时)和曝光后烘烤时不易产生收缩，因此可以形成平坦性高的膜。此外，本专利技术的形成平坦化膜的组合物包含疏水性被覆材料，因此可以防止由大气中的水分的侵入引起的磁性体的部分腐蚀，而且可以防止腐蚀成分向非磁性层扩散。此外，根据本专利技术的硬盘的制造方法，可以适于制造表面平坦性优异，磁性材料不易向非磁性层扩散的硬盘。附图说明图1为显示由合成例1获得的聚合物的13C-NMR光谱的图。图2为显示由合成例2获得的聚合物的13C-NMR光谱的图。具体实施方式作为用于在微细的槽中填充形成平坦化膜的组合物的组合物，将使用无机系化合物的现有组合物与如本专利技术那样使用有机系化合物的组合物进行比较，从而本专利技术的特征变得清楚。在使用包含无机系化合物的形成平坦化膜的组合物的情况下，采用了将其涂布至凹凸基板上，通过200℃以上的温度下的加热进行回流，利用CMP、湿式蚀刻等削去无机被覆物，加热固化，进行干蚀刻使其平坦化，然后进行类金刚石碳的被覆这样的方法。另一方面，在使用本专利技术的包含有机系化合物的形成平坦化膜的组合物的情况下，一般采用将其涂布至凹凸基板上，进行曝光，然后根据需要进行曝光后加热，接着进行干蚀刻使其平坦化，然后进行类金刚石碳的被覆这样的方法。此外，在使用无机系材料(例如聚硅氧烷)的情况下，利用CMP、湿式蚀刻除去无机被覆部分后，通过干蚀刻进行回蚀来进行平坦化，但对于此时的无机系材料的回蚀，通常使用氟系气体来进行高效率的蚀刻。然而，已知氟系气体在蚀刻时生成氢氟酸(HF)，HF成为使磁性材料腐蚀的原因。此外，关于氟系气体，有时在蚀刻后的膜表面产生粗糙。另一方面，在本专利技术中，在形成有凹凸的磁性层的表面，通过涂布法被覆包含由有机系化合物形成的非磁性体的形成平坦化膜的组合物，然后通过非卤素系气体(例如氧系气体)进行回蚀，通过该非磁性层的回蚀，磁性层与非磁性层可以在表面形成交替地排列的平坦面。此时，由于通过氧系气体进行蚀刻，因此非磁性层被蚀刻，但磁性层不受影响。即，没有产生使用了氟系气体的回蚀中的腐蚀等问题。因此，在本专利技术中，非磁性层的填充部中，可以防止钴成分等磁性材料向非磁性层部分扩散(所谓钴腐蚀)，由此可以防止磁性层与非磁性层两者磁性体化而磁道混合存在化。接下来，对营造这样的特征性作用效果的本专利技术的组合物的构成进行说明。本专利技术是一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.22 JP 2011-2071291.一种形成硬盘用平坦化膜的组合物，其特征在于，包含光聚合性被覆材料，并且在该被覆材料中含有相对于每1摩尔苯环为1～90摩尔％的乙烯基，所述光聚合性被覆材料含有：选自具有来源于二乙烯基芳香族化合物的单元结构的均聚物和具有该单元结构的共聚物中的至少1种聚合物、或该聚合物与光聚合性化合物的混合物。2.根据权利要求1所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述二乙烯基芳香族化合物为二乙烯基苯。3.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述光聚合性化合物为具有丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基或乙烯基的化合物。4.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，所述共聚物为还具有来源于加聚性化合物的单元结构的共聚物。5.根据权利要求1或2所述的形成硬盘用平坦化膜的组合物，其还包含光聚合引发剂和溶剂。6.一种硬盘的制造方法，其包括下述工序：第1工序，在磁性体上形成凹凸；第2工序，用权利要求1～5的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤拓，原口将幸，小泽雅昭，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：
国别省市：