一种铁电存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容，包括：基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容，包括：基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。【专利说明】—种铁电存储器
本专利技术涉及用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜
。
技术介绍
基于半导体的非易失性存储器在数据存储和作为转盘存储器的替代物的方面是有用的。已发现基于闪存EEPROM单元的存储器越来越多地用在计算机和消费者装置例如照相机、mp3播放器和PDA中。闪存EEPROM存储器的成本已降低到这种存储器正在计算机中用作磁盘驱动器的替代物的程度。因为半导体磁盘驱动器需要显著较低的功率、防震、并且典型地比在膝上计算机系统中利用的常规磁盘驱动器更快，所以半导体磁盘驱动器是对膝上计算机特别有吸引力的。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它采用人工合成的铅锆钛PZT材料形成存储器结晶体。铁电存储器在掉电后仍然能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。因此，与闪存和EEPROM等较早期的非易失性内存技术比较，铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。PZT铁电电容作为铁电存储器的主要存储介质，具有较大的疲劳速率和较差的漏电流特性，由于在金属Pt上制备的铁电薄膜结晶性能较差，使得PZT铁电电容的性能差，漏电流大。同时，当前的铁电存储器还具有很多缺点。存储器的成本依据很高，读写寿命不够长久，容易损坏等问题。
技术实现思路
本专利技术在铅锆钛(PZT)材料中掺入有机材料，使得铁电膜具有如下良好性能--与电极结合得好，结晶性能好，漏电流小，疲劳特性优良，读写速度快，增加铁电存储器的寿命，而使得铁电存储器不容易损坏。一种铁电存储器的铁电薄膜电容，硅基底层1，它还包括上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4，作为多取代基的硅杂环己 二烯。多种取代基的硅杂环己二烯:【权利要求】1.一种铁电存储器的铁电薄膜电容,包括: 基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8。 其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4，多种取代基的硅杂环己二烯: 2.如权利要求1所述的铁电薄膜电容，其特征在于，上述芳基优选苯基和取代苯基，所述取代苯例如甲苯基、对甲氧苯基等。上述酮基优选-COR，其中R代表甲基、乙基、丙基、苯基等。上述酯基优选-COOV，其中V代表甲基、乙基、丙基、苯基等。上述烯基优选C2-C8的链烯基，例如:乙烯基、丙烯基、丁烯基、戍烯基等。 本专利技术的优选多取代硅杂环己二烯选自下列化合物Ia~If:1a:R1 = R2 = Me, R3 = COOMe, R4 = Ph, R5 = H, R6 = Ph ；Ib:R1 = R2 = Ph, R3 = COOMe, R4 = Ph, R5 = H, R6 = Ph ；Ic:R1 = R2 = Me, R3 = COPh, R4 = Ph, R5 = H, R6 = Ph ；Id:R1 = R2 = Me, R3 = COOMe, R4 = Ph, R5 = (1-丙基)_1_ 戊烯基，R6 = Ph ；Ie:R1 = R2 = Me, R3 = COOMe, R4 = Bu, R5 = Et, R6 = Bu ；If:R1 = R2 = Ph, R3 = COOMe, R4 = Bu, R5 = Et, R6 = Bu。【文档编号】H01L51/05GK103762311SQ201410038707【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月26日 优先权日:2014年1月26日 【专利技术者】常琦 申请人:江苏巨邦环境工程集团股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：常琦，
申请(专利权)人：江苏巨邦环境工程集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：