本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。所述薄膜晶体管包括形成在基板上的有源层（130）、栅绝缘层（140）、栅电极（150）、源电极（170）和漏电极（180），其中，所述有源层（130）位于所述衬底（110）之上，所述栅绝缘层（140）、所述源电极（170）和所述漏电极（180）均位于所述有源层（130）之上，所述栅电极（150）位于所述栅绝缘层（140）之上，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述衬底（110）和所述有源层（130）之间的屏蔽层（120），所述屏蔽层（120）用于吸收外来光线。本发明专利技术的薄膜晶体管，不仅具有较强的稳定性，同时还具有较高的输出效率。而且，该薄膜晶体管可以沿用现有的工艺，方便大规模生产。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。所述薄膜晶体管包括形成在基板上的有源层（130）、栅绝缘层（140）、栅电极（150）、源电极（170）和漏电极（180），其中，所述有源层（130）位于所述衬底（110）之上，所述栅绝缘层（140）、所述源电极（170）和所述漏电极（180）均位于所述有源层（130）之上，所述栅电极（150）位于所述栅绝缘层（140）之上，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述衬底（110）和所述有源层（130）之间的屏蔽层（120），所述屏蔽层（120）用于吸收外来光线。本专利技术的薄膜晶体管，不仅具有较强的稳定性，同时还具有较高的输出效率。而且，该薄膜晶体管可以沿用现有的工艺，方便大规模生产。【专利说明】薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板
本专利技术属于液晶显示
；更具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。
技术介绍
平板显示器由于机身薄，耗电量小等优点，被广泛应用，现有的平板显示器一般包括液晶显示器(IXD)、及有机发光二极管显示器(0LED)。液晶显示器,或称LCD(Liquid Crystal Display),它由一定数量的彩色或黑白像素组成，放置于光源或者反射面前方。液晶显示器功耗很低，并且具有高画质、体积小、重量轻的特点，因此倍受大家青睐，成为显示器的主流。有机发光二极管显示器与液晶显示器不同，它无需背光源，采用非常薄的有机涂料层和玻璃基板制成，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。有机发光二极管显示器具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注。平板显示器中一般使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为驱动,从而实现高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。近年来，基于金属氧化物的薄膜晶体管因为其迁移率高、透光性好、薄膜结构稳定、制作温度低以及成本低等优点受到越来越多的重视。特别是以铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-0，IGZ0)为代表的金属氧化物TFT技术，其相对于a-Si TFT可以实现更高的分辨率,且相对于低温多晶娃(Low Temperature Poly-silicon,LTPS) TFT技术则可提高良率、降低成本并实现节能化。总体而言，IGZO TFT技术综合性能优越，已取得很多突破性的进展。`如图1所示，现有的顶栅顶接触型结构的IGZO TFT主要包括形成在衬底210上的IGZO层230、栅绝缘层240、栅电极250、钝化层260、源电极270以及漏电极280。其中，IGZO层230为沉积在衬底上的η型半导体，作为一导电通道；源电极270为沉积在衬底210上并稱接IGZO层230 —侧的金属导体,用于接收源极驱动信号；漏电极280为沉积在衬底210上并耦接IGZO层230的另一侧的金属导体，用于接收漏极驱动信号；栅绝缘层240为沉积在衬底210、IGZO层230、源电极270以及漏电极280上方的绝缘层，用于使栅电极250与IGZO层230、源电极270以及漏电极280绝缘；栅电极250为沉积在栅绝缘层240上方的金属导体，用于接收栅极驱动信号；钝化层260为沉积在栅绝缘层240和栅电极250上方的绝缘层，用于对器件进行保护。然而，当外来光线照射到如上所述的薄膜晶体管上时，光照会对该TFT的阈值电压产生影响，使其阈值电压随偏压应力的变化加快，这会造成平板显示器显示混乱，同时会导致半导体的迁移率发生变化，从而影响平板显示器的分辨率。而且，由于IGZO与源电极270和栅电极280使用的金属的功函数相差较大，因此会造成IGZO层230与源电极270和栅电极280的接触阻抗较大，从而影响其输出效率。
技术实现思路
为解决上述现有技术所存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管，该晶体管可以避免光照对器件性能的影响，同时具有较高的输出效率。为了实现上述目的，本专利技术的目的之一是提供一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极，其中，所述有源层位于所述衬底之上，所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极均位于所述有源层之上，所述栅电极位于所述栅绝缘层之上，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述衬底和所述有源层之间的屏蔽层，所述屏蔽层用于吸收外来光线。进一步地，所述屏蔽层包括金属层以及位于所述金属层之上的绝缘层，其中，所述金属层用于吸收外来光线，所述绝缘层用于将所述有源层与所述金属层绝缘隔开。进一步地，所述有源层的材质为氧化铟镓锌。进一步地，所述有源层的与所述源电极接触的第一区以及与所述漏电极接触的第二区均为η型重掺杂区。本专利技术的目的之二是提供一种薄膜晶体管的制造方法，其中，所述制造方法包括步骤:Α、在衬底上形成屏蔽层；Β、在所述屏蔽层上形成有源层C、在有源层上形成栅绝缘层，并对栅绝缘层进行图案化处理，以使有源层的第一区和第二区暴露；D、在所述栅绝缘层上形成栅电极；E、在衬底、所述第一区、所述第二区以及栅电极之上形成钝化层，并对钝化层进行图案化处理，以使所述第一区和所述第二区暴露；F、在钝化层上形成源电极和漏电极，并使源电极和漏电极分别接触所述第一区和所述第二区。进一步地，所述步骤A的形成所述屏蔽层的具体实现方式为:A1、在衬底上形成金属层；A2、在所述金属层上形成绝缘层。进一步地，所述有源层的材质为氧化铟镓锌。进一步地，所述有源层的与所述源电极接触的第一区域以及与所述漏电极接触的第二区域均为η型重掺杂区。本专利技术的目的之三是提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括透明基板以及阵列排布在所述透明基板上的若干薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为上述的薄膜晶体管。本专利技术的目的之四是提供一种液晶面板，包括彩色滤光片基板、与所述彩色滤光片基板相对设置的薄膜晶体管阵列基板以及夹设在所述彩色滤光片基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层，其中，所述薄膜晶体管阵列基板为上述的薄膜晶体管阵列基板。有益效果:本专利技术的薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板，通过增加一层用于吸收外来光线的屏蔽层，从而减小光照对器件性能的影响，增加器件的稳定性，进而提高平板显示器的质量；同时，该薄膜晶体管还通过重掺杂的η型半导体与源电极和漏电极接触，从而减小了其接触阻抗，增加器件的输出效率；而且，该薄膜晶体管可以沿用现有的工艺，方便大规模生产。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术提供的薄膜晶体管的结构示意图。图2为本专利技术一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。图3a为现有技术的薄膜晶体管的转移特性曲线图；图3b为图2的薄膜晶体管的转移特性曲线图。图4a为现有技术的薄膜晶体管的输出特性曲线图；图4b为图2的薄膜晶体管的特性曲线图。图5为本专利技术一实施例提供的薄膜晶体管的制造方法的流程图。图6为本专利技术一实施例提供的液晶面板的结构示意图。图7为本专利技术一实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。【具体实施方式】为了更好地阐述本专利技术的技术特点和结构，以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细描述。图2为本专利技术的一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。参照图2，本专利技术的一实施例提供的薄膜晶体管包括形成在衬底110上的屏蔽层本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏智昱，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。