本发明专利技术涉及一种低温PTC导电组合物、PTC过流保护器件及其制造方法.本发明专利技术提供了一种低温PTC导电组合物，按重量计，包括40～55%的有机聚合物，40～55%的导电炭黑，1～10%的耐压增强填料。本发明专利技术还提供了一种包含该低温PTC导电组合物的PTC过流保护器件及其制造方法。本发明专利技术的PTC过流保护器件具有低于大约80℃的动作温度、以及较高PTC强度和优良的电阻稳定性，从而可在低温环境下对电路进行良好的过流与过温保护。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种低温PTC导电组合物、PTC过流保护器件及其制造方法.本专利技术提供了一种低温PTC导电组合物，按重量计，包括40～55%的有机聚合物，40～55%的导电炭黑，1～10%的耐压增强填料。本专利技术还提供了一种包含该低温PTC导电组合物的PTC过流保护器件及其制造方法。本专利技术的PTC过流保护器件具有低于大约80℃的动作温度、以及较高PTC强度和优良的电阻稳定性，从而可在低温环境下对电路进行良好的过流与过温保护。【专利说明】低温PTC导电组合物、PTC过流保护器件及其制造方法
本专利技术涉及导电组合物
,特别涉及正温度系数(Positive temperaturecoefficient,简称PTC)导电组合物
，具体是指一种低温PTC导电组合物以及包含该组合物的低动作温度的PTC过流保护器件及其制造方法。
技术介绍
所谓聚合物PTC热敏电阻，是指利用通过热膨胀而使导电性变化的导电性聚合物的正电阻温度特性，即PTC (Positive temperature coefficient)特性,来接通与断开电路的元件，简称PTC。PTC器件在通常状态下电阻基本保持恒定，当电路故障引起较大电流通过PTC时，其温度会突然升高到临界转变温度，这时电阻突然增大，发生几个数量级的转变(电阻值发生突变的温度成为“转折温度”)，从而可以在较高温度下减小或切断电流，达到控温保温或起到过流、过热保护的目的。而当故障排除后，PTC器件温度下降，其电阻值重新恢复到低阻值状态。基于PTC器件优异的过电流保护特性，使得其在家电、计算机、通信、消费电子、电池、汽车微电机等领域获得广泛的应用。目前，市面上的PTC器件一般由导电填料填充于结晶或半结晶的有机高分子而制成，导电填料一般是炭黑、金属、导电陶瓷等，而有机高分子一般是高密度聚乙烯HDPE、低密度聚乙烯LDPE、线型低密度聚乙烯LLDPE、聚偏氟乙烯PVDF等。然而这类树脂基体的熔点较高，最低的LDPE其熔点约为110°C左右，最高的PVDF其熔点达到165°C以上，致使PTC器件的动作温度一般是在85°C以上。对于在工作环境温度较低(如严冬时节)，或在较低温度下需要过温保护的电子设备(如锂离子电池，其安全温度一般低于85°C )等情况下，使用这一类型的热敏电阻进行过流保护，容易发生PTC动作较慢甚至不动作，不能对电路或设备进行快速有效的保护，从而造成严重的后果。为提高PTC元件在上述情况下的保护能力，一般采用的方法是提高PTC的阻值或是减小PTC芯片的尺寸来提高动作速度。而增加PTC的阻值会增加电路的功率损耗；减小芯片尺寸可以提升PTC动作速度，但同样会增加PTC的阻值进而增加电路的损耗。将PTC器件配方中的导电炭黑换成导电能力更强的金属粉或导电陶瓷粉，可以同时做到较小的尺寸和较低的阻值，但是金属粉容易氧化造成PTC阻值稳定性差，耐压和耐流的阻值变化率都很大，以陶瓷粉为导电填料的PTC阻值稳定性比金属粉体系有很大提高但还是不能和炭黑体系PTC的稳定性相比。此外，金属粉和陶瓷粉的价格非常高，约为炭黑价格的10倍，大大增加PTC器件的成本。此外，提高PTC器件在低环境温度下的动作速度和低温下的过温保护能力，还有一个方法，就是选择熔点较低的聚合物材料，以降低PTC器件的动作温度。虽然有专利报道，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸共聚物(EAA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)可以用作PTC材料的基材，而且这些聚合物的熔点也符合低温PTC器件的要求，但市面上基本没使用这类聚合物作为基材制造的PTC器件，其原因在于这类聚合物有一个共同的缺点，就是其分子链结构中含有双键，导致其耐热性、抗老化性差，以其制成的PTC器件的电阻稳定性较差，阻值自恢复能力不足，因而实用价值不高。因此，为了使PTC热敏电阻能够在较低的温度下对锂离子电池或其他需要低温保护的设备进行快速的过流与过温保护，需要开发一种低转折温度、快速动作且电阻稳定性优良的PTC器件。
技术实现思路
本专利技术提供一种低温PTC导电组合物以及包含该组合物的PTC过流保护器件的制造方法。该PTC器件具有低动作温度、高PTC强度和优良的电阻稳定性，从而可在低温环境下对电路进行快速、可靠的过流与过温保护。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面，提供了 一种低温PTC导电组合物，按重量计，包括40?55%的有机聚合物，40?55%的导电炭黑，I?10%的耐压增强填料。较佳地，所述有机聚合物的熔点60?80°C。较佳地，所述有机聚合物是一种或多种结晶或半结晶聚合物。较佳地，所述有机聚合物选自极低密度聚乙烯(VLDPE)、超低密度聚乙烯(ULDPE)、乙烯-α烯烃共聚物(POE)中的一种或几种。较佳地，所述导电炭黑的邻苯二甲酸二丁酯吸收值(DBP值)在40cm3/IOOg到200cm3/100g之间，所述导电炭黑的粒径在20nm到120nm之间。更优选DBP值大约在50cm3/100g到140cm3/100g之间，粒径在50nm到120nm之间。符合要求的炭黑有:Raven410(粒径 lOlnm，DBP 值 65cm3/100g，Columbian 公司)，Raven430(粒径 82nm，DBP 值 78cm3/100g，Columbian 公司)，Sterling N550 (粒径 55nm，DBP 值 120cm3/100g，Cabot 公司)，3030B (粒径 55nm，DBP 值 130cmVl00g，三菱碳素)。除了所述的聚合物组分和导电填料，PTC导电组合物还包括一种或多种耐压增强填料，以提高PTC器件的耐压及耐流能力及电阻稳定性。较佳地，所述填料选自氧化锌、氧化镁、氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铝中的一种或几种。较佳地，所述低温度的PTC导电组合物通过电子束或Y射线(Co6°)辐照而交联。为了提高电稳定性，所述的PTC导电组合物可以通过辐射交联，辐射剂量在5到30Mrads，优选 5 到 15Mrads。本专利技术的第二方面，提供了一种PTC过流保护器件，包括PTC芯片及焊接在所述PTC芯片上下表面的金属电极，所述PTC芯片包括上述任一项所述的低温PTC导电组合物及贴覆在所述低温PTC导电组合物上下两表面的金属箔片构成，所述PTC芯片经过电子束或Y射线(CcT)辐照。较佳地，所述PTC器件在温度高于120°C时所述PTC器件的电阻至少是25°C时的IO3 倍。在本专利技术的第三方面，提供了上述的PTC过流保护器件的制造方法，包括以下步骤:a.将所述有机聚合物、所述导电炭黑和所述耐电压增强剂按照40?55%:40?55%: I?10%的重量比加入到密炼机中，在所述有机聚合物的熔点以上密炼10?20min，得到PTC导电组合物，再经开炼机拉片，热压机模压，得到厚度为0.15?0.20mm的PTC导电组合物片；b.将上述PTC导电组合物片放入模具，同时两张金属箔片分别放在PTC组合物层的上下表面，经热压机压合，得到PTC组合物与金属箔片的复合体；c.将所述PTC组合物与金属箔片复合体冲切成PTC芯片，然后对PTC芯片退火热处理，条件是在所述有机聚合物的熔点以上放置60分钟，然后缓慢冷却到室温；d.热本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐行涛，李大军，朱建娟，
申请(专利权)人：深圳市慧瑞电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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